為了大家能夠更好地備考2017年計算機一級等級考試，今天特意為大家整理了以下2017年計算機一級考試MSOffice考點解析，希望對大家有幫助!
2．1．3存儲器
存儲器(Memory)是存儲程序和數(shù)據(jù)的部件。它可以自動完成程序或數(shù)據(jù)的存取，是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備。存儲器分為內(nèi)存(又稱主存)和外存(又稱輔存)兩大類。內(nèi)存是主板上的存儲部件，用來存儲當前正在執(zhí)行的數(shù)據(jù)、程序和結(jié)果；內(nèi)存容量小，存取速度快，但斷電后其中的信息全部丟失。外存是磁性介質(zhì)或光盤等部件，用來存放各種數(shù)據(jù)文件和程序文件等需要長期保存的信息；外存容量大，存取速度慢，但斷電后所保存的內(nèi)容不會丟失。計算機之所以能夠反復(fù)執(zhí)行程序或數(shù)據(jù)，就是由于有存儲器的存在。
CPU不能像訪問內(nèi)存那樣直接訪問外存，當需要某一程序或數(shù)據(jù)時，首先應(yīng)將其調(diào)入內(nèi)存，然后再運行。一般的微型計算機中都配置了高速緩沖存儲器(Cache)，這時內(nèi)存包括主存和高速緩存兩部分。
1．內(nèi)存
存儲器是用來存儲數(shù)據(jù)和程序的“記憶”裝置，相當于存放資料的倉庫。計算機中的全部信息，包括數(shù)據(jù)、程序、指令以及運算的中間數(shù)據(jù)和最后的結(jié)果都要存放在存儲器中。存儲器分內(nèi)存儲器和外存儲器兩種。內(nèi)存儲器按功能又可分為隨機存取存儲器(RandomAccessMemory，RAM)和只讀存儲器(ReadOnlyMemory，ROM)。
1)隨機存取存儲器、
通常所說的計算機內(nèi)存容量均指RAM存儲器容量，即計算機的主存。RAM有兩個特點，第一個特點是可讀／寫性，說的是對RAM既可以進行讀操作，又可以進行寫操作。讀操作時不破壞內(nèi)存已有的內(nèi)容，寫操作時才改變原來已有的內(nèi)容。第二個特點是易失性，即電源斷開(關(guān)機或異常斷電)時，RAM中的內(nèi)容立即丟失。因此微型計算機每次啟動時都要對RAM進行重新裝配。
RAM又可分為靜態(tài)隨機存儲器(StaticRAM，SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(DynamicRAM，DRAM)兩種。計算機內(nèi)存條采用的是DRAM，如圖2—4所示。DRAM中“動態(tài)”的含義是指每隔一個固定的時間必須對存儲信息刷新一次。因為DRAM是用電容來存儲信息的，由于電容存在漏電現(xiàn)象，存儲的信息不可能永遠保持不變，為了解決這個問題，需要設(shè)計一個額外電路對內(nèi)存不斷地進行刷新。DRAM的功耗低，集成度高，成本低。SRAM是用觸發(fā)器的狀態(tài)來存儲信息的，只要電源正常供電，觸發(fā)器就能穩(wěn)定地存儲信息，無需刷新，所以SRAM的存取速度比DRAM快。但SRAM具有集成度低、功耗大、價格高的缺陷。
幾種常用RAM簡介如下： ?、偻絼討B(tài)隨機存儲器(SynchronousDRAM，SDRAM)是目前奔騰計算機系統(tǒng)普遍使用的內(nèi)存形式，它的刷新周期與系統(tǒng)時鐘保持同步，使RAM和CPU以相同的速度同步工作，減少了數(shù)據(jù)存取時間。 ?、陔p倍速率SDRAM(DoubleDataRateRAM，DDRRAM)使用了更多、更先進的同步電路，它的速度是標準SDRAM的兩倍。 ?、鄞鎯ζ骺偩€式動態(tài)隨機存儲器(RambusDRAM，RDRAM)被廣泛地應(yīng)用于多媒體領(lǐng)域。 2)只讀存儲器j CPU對只讀存儲器(ROM)只取不存，ROM里面存放的信息一般由計算機制造廠寫入并經(jīng) 固化處理，用戶是無法修改的，即使斷電，ROM中的信息也不會丟失。因此，ROM中一般存放計i 算機系統(tǒng)管理程序，如監(jiān)控程序、基本輸入／輸出系統(tǒng)模塊BIOS等。! 幾種常用ROM簡介如下： ?、倏删幊讨蛔x存儲器(ProgrammableROM，PROM)可實現(xiàn)對ROM的寫操作，但只能寫一 次。其內(nèi)部有行列式的镕絲，視需要利用電流將其燒斷，寫入所需信息。 ?、诳刹脸删幊讨蛔x存儲器(ErasablePROM，EPROM)可實現(xiàn)數(shù)據(jù)的反復(fù)擦寫。使用時～ 用高電壓將信息編程寫入，擦除時將線路曝光于紫外線丁，即可將信息清空。EPROM通常在封 裝外殼上會預(yù)留一個石英透明窗以方便曝光。 ?、垭娍刹量删幊讨蛔x存儲罨(E1ectricallyEPROM，EEPROM)可實現(xiàn)數(shù)據(jù)的反復(fù)擦寫。其使 用原理類似EPROM，只是擦除方式是使用高電場完成，因此不需要透明窗曝光。 3)高速緩沖存儲器 高速緩沖存儲器(Cache)主要是為了解決CPU和主存速度不匹配，為提高存儲器速度而設(shè)計的。Cache一般用SRAM存儲芯片實現(xiàn)，因為SRAM比DRAM存取速度快而容量有限。Cache產(chǎn)生的理論依據(jù)——局部性原理。局部性原理是指計算機程序從時間和空間都表現(xiàn)出“局部性”：①時間的局部性(TemporalLocality)：最近被訪問的內(nèi)存內(nèi)容(指令或數(shù)據(jù))很快還會被訪問；②空間的局部性(SpatialLocality)：靠近當前正在被訪問內(nèi)存的內(nèi)存內(nèi)容很快也會被訪問。內(nèi)存讀寫速度制約了CPU執(zhí)行指令的效率，那么，如何能既緩解速度間的矛盾又節(jié)約成本?——設(shè)計一款小型存儲器即Cache，使其存取速度接近CPU，存儲容量小于內(nèi)存。Cache中存放什么?——cPu最經(jīng)常訪問的指令和數(shù)據(jù)。根據(jù)局部性原理，當CPU存取某一內(nèi)存單元時，計算機硬件自動地將包括該單元在內(nèi)的臨近單元內(nèi)容都調(diào)入Cache。這樣，當CPU存取信息時，可先從Cache中進行查找。若有，則將信息直接傳送給CPU；若無，則再從內(nèi)存中查找，同時把含有該信息的整個數(shù)據(jù)塊從內(nèi)存復(fù)制到Cache中。Cache中內(nèi)容命中率越高，CPU執(zhí)行效率越高。可以采用各種Cache替換算法(Cache內(nèi)容和內(nèi)存內(nèi)容的替換算法)來提高Cache命中率。 Cache按功能通常分為兩類：CPU內(nèi)部的Cache和CPU外部的Cache。CPU內(nèi)部的Cache稱為一級Cache，它是CPU內(nèi)核的一部分，負責(zé)在CPU內(nèi)部的寄存器與外部的Cache之間的緩沖。CPU外部的Cache稱為二級Cache，它相對CPU是獨立的部件，主要用于彌補CPU內(nèi)部Cache容量過小的缺陷，負責(zé)整個CPU與內(nèi)存之間的緩沖。少數(shù)高端處理器還集成了三級Cache，三級Cache是為讀取二級緩存中的數(shù)據(jù)而設(shè)計的一種緩存。具有三級緩存的CPU中，只有很少的羹據(jù)從內(nèi)存中調(diào)用，這樣大大地提高了CPU的效率。 4)內(nèi)存儲器的性能指標 內(nèi)存儲器的主要性能指標有兩個：容量和速度。 存儲容量：指一個存儲器包含的存儲單元總數(shù)。這一概念反映了存儲空間的大小。目前常用的DDR3內(nèi)存條存儲容量一般為2GB和4GB。好的主板可以到8GB，服務(wù)器主板可以到32GB。 存取速度：一般用存儲周期(也稱讀寫周期)來表示。存取周期就是CPU從內(nèi)存儲器中存取數(shù)據(jù)所需的時間(讀出或?qū)懭?。半導(dǎo)體存儲器的存取周期一般為60～100rls。 2．外存 隨著信息技術(shù)的發(fā)展，信息處理的數(shù)據(jù)量越來越大。但內(nèi)存容量畢竟有限，這就需要配置另一類存儲器——外部存儲器(簡稱外存)。外存可存放大量程序和數(shù)據(jù)，且斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。常見的外部儲存器有硬盤、u盤和光盤等。 1)硬盤 硬盤(HardDisk)是微型計算機上主要的外部存儲設(shè)備。它是由磁盤片、讀寫控制電路和驅(qū)動機構(gòu)組成。硬盤具有容量大、存取速度快等優(yōu)點，操作系統(tǒng)、可運行的程序文件和用戶的數(shù)據(jù)文件一般都保存在硬盤上。 內(nèi)部結(jié)構(gòu)：一個硬盤內(nèi)部包含多個盤片，這些盤片被安裝在一個同心軸上，每個盤片有上下兩個盤面，每個盤面被劃分為磁道和扇區(qū)。磁盤的讀寫物理單位是按扇區(qū)進行讀寫。硬盤的每個盤面有一個讀寫磁頭，所有磁頭保持同步工作狀態(tài)，即在任何時刻所有的磁頭都保持在不同盤面的同一磁道。硬盤讀寫數(shù)據(jù)時，磁頭與磁盤表面始終保持一個很小的間隙，實現(xiàn)非接觸式讀寫。維持這種微小的間隙，靠的不是驅(qū)動器的控制電路，而是硬盤高速旋轉(zhuǎn)時帶動的氣流。由于磁頭很輕，硬盤旋轉(zhuǎn)時，氣流使磁頭漂浮在磁盤表面。硬盤內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2—5所示。其主要特點是將盤片、磁頭、電機驅(qū)動部件乃至讀／寫電路等做成一個不可隨意拆卸的整體并密封起來，所以．防塵性能好、可靠性高。對環(huán)境要求不高。
硬盤容量：一個硬盤的容量是由以下幾個參數(shù)決定的，即磁頭數(shù)H(Heads)、柱面數(shù)C(Cylinders)、每個磁道的扇區(qū)數(shù)S(Sectors)和每個扇區(qū)的字節(jié)數(shù)B(Bytes)。將以上幾個參數(shù)相乘，乘積就是硬盤容量，即：
硬盤總?cè)萘?磁頭數(shù)(H)×柱面數(shù)(c)×磁道扇區(qū)數(shù)(S)×每扇區(qū)字節(jié)數(shù)(B)
硬盤接口：硬盤與主板的連接部分就是硬盤接口，常見的有ATA(AdvancedTechnologyAttachment，高級技術(shù)附件)、SATA(SerialATA，串行高級技術(shù)附件)和SCSI(SmallComputerSystemInterface，小型計算機系統(tǒng)接口)接口。ATA和SATA接口的硬盤主要應(yīng)用在個人電腦上，如圖2-6所示，SCSl接口的硬盤主要應(yīng)用于中、高端服務(wù)器和高檔工作站中。硬盤接口的性能指標主要是傳輸率，也就是硬盤支持的外部傳輸速率。以前常用的ATA接El采用傳統(tǒng)的40引腳并口數(shù)據(jù)線連接主板和硬盤，外部接l3速度為133MB／s。ATA并口線的抗干擾性太差，且排線占空間，不利計算機散熱，故其逐漸被SATA取代。SATA又稱串口硬盤，它采用串行連接方式，傳輸率為l50MB／s。SATA總線使用嵌入式時鐘信號，具備更強的糾錯能力，而且還具有結(jié)構(gòu)簡單、支持熱插拔等優(yōu)點。目前最新的SATA標準是SATA3．0，傳輸率為6Gb／s。SCSl是一種廣泛應(yīng)用于小型機上的高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)。SCSl接口具有應(yīng)用范圍廣、帶寬大、CPU占用率低以及支持熱插拔等優(yōu)點。
硬盤轉(zhuǎn)速：指硬盤電機主軸的旋轉(zhuǎn)速度，也就是硬盤盤片在一分鐘內(nèi)旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)數(shù)。轉(zhuǎn)速快慢是標志硬盤檔次的重要參數(shù)之一，也是決定硬盤內(nèi)部傳輸率的關(guān)鍵因素之一，在很大程度上直接影響硬盤的傳輸速度。硬盤轉(zhuǎn)速單位為rpm(RevolutionsPerminute)，即轉(zhuǎn)／分鐘。 普通硬盤轉(zhuǎn)速一般有5400rpm和7200rpm兩種。其中，7200rpm高轉(zhuǎn)速硬盤是臺式機的首選，筆記本則以4200rpm和5400rpm為主。雖然已經(jīng)發(fā)布了7200rpm的筆記本硬盤，但由于噪聲和散熱等問題，尚未廣泛使用。服務(wù)器中使用的SCSl硬盤轉(zhuǎn)速大多為10000rpm，最嘲為15000rpm，性能遠超普通硬盤。 硬盤的容量有320GB、500GB、750GB、1TB、2TB、3TB等。目前市場上能買到的硬盤容量為4TB。主流硬盤各參數(shù)為SATA接口、500GB容量、7200rpm轉(zhuǎn)速和150MB／s傳輸率 2)閃速存儲器(Flash) 閃速存儲器(F1ash)是一種新型非易失性半導(dǎo)體存儲器(通常稱U盤)。它是EEPROM的變種，F(xiàn)Ia。h與EEPROM不同的是，它能以固定區(qū)塊為單位進行刪除和重寫，而不是整個芯片擦寫。它既繼承了RAM存儲器速度快的優(yōu)點，又具備了ROM的非易失性，即在無電源狀態(tài)仍能保持片內(nèi)信息，不需要特殊的高電壓就可實現(xiàn)片內(nèi)信息的擦除和重寫。另外，USB接13支持即插即用。當前的計算機都配有USB接口，在WindowsXP操作系統(tǒng)下，無須驅(qū)動程序，通過USB接口即插即用，使用非常方便。近幾年來，更多小巧、輕便、價格低廉、存儲量大的移動存儲產(chǎn)品在不斷涌現(xiàn)并得到普及。 USB接13的傳輸率有：USBl．1為12Mb／s，USB2．0為480Mb／s，USB3．0為5·0Gb／s。 3)光盤(opticalDi) 光盤是以光信息作為存儲信息的載體來存儲數(shù)據(jù)的一種物品。 類型劃分：光盤通常分為兩類，一類是只讀型光盤，包括CD．ROM和DVD．ROM(DigitalVer． satileDisk—ROM)等；一類是可記錄型光盤，它包括CD—R、CD—RW(CD·Rewritable)、DVD．R、DVD+R、DVD+RW等各種類型。 只讀型光盤CD．ROM是用一張母盤壓制而成，上面的數(shù)據(jù)只能被讀取而不能被寫入或修改。記錄在母盤上的數(shù)據(jù)呈螺旋狀，由中心向外散開，盤中的信息存儲在螺旋形光道中。光道內(nèi) 部排列著一個個蝕刻的“凹坑”，這些“凹坑”和“平地”用來記錄二進制0和1。讀CD．ROM上的數(shù)據(jù)時，利用激光束掃描光盤，根據(jù)激光在小坑上的反射變化得到數(shù)字信息。 一次寫入型光盤CD—R的特點是只能寫一次，寫完后的數(shù)據(jù)無法被改寫，但可以被多次讀取，可用于重要數(shù)據(jù)的長期保存。在刻錄CD．R盤片時，使用大功率激光照射CD．R盤片的染料層，通過染料層發(fā)生的化學(xué)變化產(chǎn)生“凹坑”和“平地”兩種狀態(tài)，用來記錄二進制0和1。由于這種變化是一次性的．不能恢復(fù)．所以CD—R只允許寫入一次。
幾種常用RAM簡介如下： ?、偻絼討B(tài)隨機存儲器(SynchronousDRAM，SDRAM)是目前奔騰計算機系統(tǒng)普遍使用的內(nèi)存形式，它的刷新周期與系統(tǒng)時鐘保持同步，使RAM和CPU以相同的速度同步工作，減少了數(shù)據(jù)存取時間。 ?、陔p倍速率SDRAM(DoubleDataRateRAM，DDRRAM)使用了更多、更先進的同步電路，它的速度是標準SDRAM的兩倍。 ?、鄞鎯ζ骺偩€式動態(tài)隨機存儲器(RambusDRAM，RDRAM)被廣泛地應(yīng)用于多媒體領(lǐng)域。 2)只讀存儲器j CPU對只讀存儲器(ROM)只取不存，ROM里面存放的信息一般由計算機制造廠寫入并經(jīng) 固化處理，用戶是無法修改的，即使斷電，ROM中的信息也不會丟失。因此，ROM中一般存放計i 算機系統(tǒng)管理程序，如監(jiān)控程序、基本輸入／輸出系統(tǒng)模塊BIOS等。! 幾種常用ROM簡介如下： ?、倏删幊讨蛔x存儲器(ProgrammableROM，PROM)可實現(xiàn)對ROM的寫操作，但只能寫一 次。其內(nèi)部有行列式的镕絲，視需要利用電流將其燒斷，寫入所需信息。 ?、诳刹脸删幊讨蛔x存儲器(ErasablePROM，EPROM)可實現(xiàn)數(shù)據(jù)的反復(fù)擦寫。使用時～ 用高電壓將信息編程寫入，擦除時將線路曝光于紫外線丁，即可將信息清空。EPROM通常在封 裝外殼上會預(yù)留一個石英透明窗以方便曝光。 ?、垭娍刹量删幊讨蛔x存儲罨(E1ectricallyEPROM，EEPROM)可實現(xiàn)數(shù)據(jù)的反復(fù)擦寫。其使 用原理類似EPROM，只是擦除方式是使用高電場完成，因此不需要透明窗曝光。 3)高速緩沖存儲器 高速緩沖存儲器(Cache)主要是為了解決CPU和主存速度不匹配，為提高存儲器速度而設(shè)計的。Cache一般用SRAM存儲芯片實現(xiàn)，因為SRAM比DRAM存取速度快而容量有限。Cache產(chǎn)生的理論依據(jù)——局部性原理。局部性原理是指計算機程序從時間和空間都表現(xiàn)出“局部性”：①時間的局部性(TemporalLocality)：最近被訪問的內(nèi)存內(nèi)容(指令或數(shù)據(jù))很快還會被訪問；②空間的局部性(SpatialLocality)：靠近當前正在被訪問內(nèi)存的內(nèi)存內(nèi)容很快也會被訪問。內(nèi)存讀寫速度制約了CPU執(zhí)行指令的效率，那么，如何能既緩解速度間的矛盾又節(jié)約成本?——設(shè)計一款小型存儲器即Cache，使其存取速度接近CPU，存儲容量小于內(nèi)存。Cache中存放什么?——cPu最經(jīng)常訪問的指令和數(shù)據(jù)。根據(jù)局部性原理，當CPU存取某一內(nèi)存單元時，計算機硬件自動地將包括該單元在內(nèi)的臨近單元內(nèi)容都調(diào)入Cache。這樣，當CPU存取信息時，可先從Cache中進行查找。若有，則將信息直接傳送給CPU；若無，則再從內(nèi)存中查找，同時把含有該信息的整個數(shù)據(jù)塊從內(nèi)存復(fù)制到Cache中。Cache中內(nèi)容命中率越高，CPU執(zhí)行效率越高。可以采用各種Cache替換算法(Cache內(nèi)容和內(nèi)存內(nèi)容的替換算法)來提高Cache命中率。 Cache按功能通常分為兩類：CPU內(nèi)部的Cache和CPU外部的Cache。CPU內(nèi)部的Cache稱為一級Cache，它是CPU內(nèi)核的一部分，負責(zé)在CPU內(nèi)部的寄存器與外部的Cache之間的緩沖。CPU外部的Cache稱為二級Cache，它相對CPU是獨立的部件，主要用于彌補CPU內(nèi)部Cache容量過小的缺陷，負責(zé)整個CPU與內(nèi)存之間的緩沖。少數(shù)高端處理器還集成了三級Cache，三級Cache是為讀取二級緩存中的數(shù)據(jù)而設(shè)計的一種緩存。具有三級緩存的CPU中，只有很少的羹據(jù)從內(nèi)存中調(diào)用，這樣大大地提高了CPU的效率。 4)內(nèi)存儲器的性能指標 內(nèi)存儲器的主要性能指標有兩個：容量和速度。 存儲容量：指一個存儲器包含的存儲單元總數(shù)。這一概念反映了存儲空間的大小。目前常用的DDR3內(nèi)存條存儲容量一般為2GB和4GB。好的主板可以到8GB，服務(wù)器主板可以到32GB。 存取速度：一般用存儲周期(也稱讀寫周期)來表示。存取周期就是CPU從內(nèi)存儲器中存取數(shù)據(jù)所需的時間(讀出或?qū)懭?。半導(dǎo)體存儲器的存取周期一般為60～100rls。 2．外存 隨著信息技術(shù)的發(fā)展，信息處理的數(shù)據(jù)量越來越大。但內(nèi)存容量畢竟有限，這就需要配置另一類存儲器——外部存儲器(簡稱外存)。外存可存放大量程序和數(shù)據(jù)，且斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。常見的外部儲存器有硬盤、u盤和光盤等。 1)硬盤 硬盤(HardDisk)是微型計算機上主要的外部存儲設(shè)備。它是由磁盤片、讀寫控制電路和驅(qū)動機構(gòu)組成。硬盤具有容量大、存取速度快等優(yōu)點，操作系統(tǒng)、可運行的程序文件和用戶的數(shù)據(jù)文件一般都保存在硬盤上。 內(nèi)部結(jié)構(gòu)：一個硬盤內(nèi)部包含多個盤片，這些盤片被安裝在一個同心軸上，每個盤片有上下兩個盤面，每個盤面被劃分為磁道和扇區(qū)。磁盤的讀寫物理單位是按扇區(qū)進行讀寫。硬盤的每個盤面有一個讀寫磁頭，所有磁頭保持同步工作狀態(tài)，即在任何時刻所有的磁頭都保持在不同盤面的同一磁道。硬盤讀寫數(shù)據(jù)時，磁頭與磁盤表面始終保持一個很小的間隙，實現(xiàn)非接觸式讀寫。維持這種微小的間隙，靠的不是驅(qū)動器的控制電路，而是硬盤高速旋轉(zhuǎn)時帶動的氣流。由于磁頭很輕，硬盤旋轉(zhuǎn)時，氣流使磁頭漂浮在磁盤表面。硬盤內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2—5所示。其主要特點是將盤片、磁頭、電機驅(qū)動部件乃至讀／寫電路等做成一個不可隨意拆卸的整體并密封起來，所以．防塵性能好、可靠性高。對環(huán)境要求不高。
硬盤容量：一個硬盤的容量是由以下幾個參數(shù)決定的，即磁頭數(shù)H(Heads)、柱面數(shù)C(Cylinders)、每個磁道的扇區(qū)數(shù)S(Sectors)和每個扇區(qū)的字節(jié)數(shù)B(Bytes)。將以上幾個參數(shù)相乘，乘積就是硬盤容量，即：
硬盤總?cè)萘?磁頭數(shù)(H)×柱面數(shù)(c)×磁道扇區(qū)數(shù)(S)×每扇區(qū)字節(jié)數(shù)(B)
硬盤接口：硬盤與主板的連接部分就是硬盤接口，常見的有ATA(AdvancedTechnologyAttachment，高級技術(shù)附件)、SATA(SerialATA，串行高級技術(shù)附件)和SCSI(SmallComputerSystemInterface，小型計算機系統(tǒng)接口)接口。ATA和SATA接口的硬盤主要應(yīng)用在個人電腦上，如圖2-6所示，SCSl接口的硬盤主要應(yīng)用于中、高端服務(wù)器和高檔工作站中。硬盤接口的性能指標主要是傳輸率，也就是硬盤支持的外部傳輸速率。以前常用的ATA接El采用傳統(tǒng)的40引腳并口數(shù)據(jù)線連接主板和硬盤，外部接l3速度為133MB／s。ATA并口線的抗干擾性太差，且排線占空間，不利計算機散熱，故其逐漸被SATA取代。SATA又稱串口硬盤，它采用串行連接方式，傳輸率為l50MB／s。SATA總線使用嵌入式時鐘信號，具備更強的糾錯能力，而且還具有結(jié)構(gòu)簡單、支持熱插拔等優(yōu)點。目前最新的SATA標準是SATA3．0，傳輸率為6Gb／s。SCSl是一種廣泛應(yīng)用于小型機上的高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)。SCSl接口具有應(yīng)用范圍廣、帶寬大、CPU占用率低以及支持熱插拔等優(yōu)點。
硬盤轉(zhuǎn)速：指硬盤電機主軸的旋轉(zhuǎn)速度，也就是硬盤盤片在一分鐘內(nèi)旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)數(shù)。轉(zhuǎn)速快慢是標志硬盤檔次的重要參數(shù)之一，也是決定硬盤內(nèi)部傳輸率的關(guān)鍵因素之一，在很大程度上直接影響硬盤的傳輸速度。硬盤轉(zhuǎn)速單位為rpm(RevolutionsPerminute)，即轉(zhuǎn)／分鐘。 普通硬盤轉(zhuǎn)速一般有5400rpm和7200rpm兩種。其中，7200rpm高轉(zhuǎn)速硬盤是臺式機的首選，筆記本則以4200rpm和5400rpm為主。雖然已經(jīng)發(fā)布了7200rpm的筆記本硬盤，但由于噪聲和散熱等問題，尚未廣泛使用。服務(wù)器中使用的SCSl硬盤轉(zhuǎn)速大多為10000rpm，最嘲為15000rpm，性能遠超普通硬盤。 硬盤的容量有320GB、500GB、750GB、1TB、2TB、3TB等。目前市場上能買到的硬盤容量為4TB。主流硬盤各參數(shù)為SATA接口、500GB容量、7200rpm轉(zhuǎn)速和150MB／s傳輸率 2)閃速存儲器(Flash) 閃速存儲器(F1ash)是一種新型非易失性半導(dǎo)體存儲器(通常稱U盤)。它是EEPROM的變種，F(xiàn)Ia。h與EEPROM不同的是，它能以固定區(qū)塊為單位進行刪除和重寫，而不是整個芯片擦寫。它既繼承了RAM存儲器速度快的優(yōu)點，又具備了ROM的非易失性，即在無電源狀態(tài)仍能保持片內(nèi)信息，不需要特殊的高電壓就可實現(xiàn)片內(nèi)信息的擦除和重寫。另外，USB接13支持即插即用。當前的計算機都配有USB接口，在WindowsXP操作系統(tǒng)下，無須驅(qū)動程序，通過USB接口即插即用，使用非常方便。近幾年來，更多小巧、輕便、價格低廉、存儲量大的移動存儲產(chǎn)品在不斷涌現(xiàn)并得到普及。 USB接13的傳輸率有：USBl．1為12Mb／s，USB2．0為480Mb／s，USB3．0為5·0Gb／s。 3)光盤(opticalDi) 光盤是以光信息作為存儲信息的載體來存儲數(shù)據(jù)的一種物品。 類型劃分：光盤通常分為兩類，一類是只讀型光盤，包括CD．ROM和DVD．ROM(DigitalVer． satileDisk—ROM)等；一類是可記錄型光盤，它包括CD—R、CD—RW(CD·Rewritable)、DVD．R、DVD+R、DVD+RW等各種類型。 只讀型光盤CD．ROM是用一張母盤壓制而成，上面的數(shù)據(jù)只能被讀取而不能被寫入或修改。記錄在母盤上的數(shù)據(jù)呈螺旋狀，由中心向外散開，盤中的信息存儲在螺旋形光道中。光道內(nèi) 部排列著一個個蝕刻的“凹坑”，這些“凹坑”和“平地”用來記錄二進制0和1。讀CD．ROM上的數(shù)據(jù)時，利用激光束掃描光盤，根據(jù)激光在小坑上的反射變化得到數(shù)字信息。 一次寫入型光盤CD—R的特點是只能寫一次，寫完后的數(shù)據(jù)無法被改寫，但可以被多次讀取，可用于重要數(shù)據(jù)的長期保存。在刻錄CD．R盤片時，使用大功率激光照射CD．R盤片的染料層，通過染料層發(fā)生的化學(xué)變化產(chǎn)生“凹坑”和“平地”兩種狀態(tài)，用來記錄二進制0和1。由于這種變化是一次性的．不能恢復(fù)．所以CD—R只允許寫入一次。